Lenovo ThinkSystem ER3 - SSD - Read Intensive - chiffré - 480 Go - interne - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - TCG Enterprise, Self-Encrypting Drive (SED)
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Référence : 4XB7A90049
Code EAN : 889488704965
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Le disque dur Lenovo ThinkSystem ER3 offre un mélange de performances, de fiabilité et de capacité, ce qui en fait un choix approprié pour les applications de lecture intensive et les environnements exigeants. Avec une capacité de stockage généreuse de 480 Go et une technologie flash NAND 3D triple-level cell (TLC) avancée, il constitue une base fiable pour l'intégrité et la sécurité des données. Les performances robustes du disque sont mises en évidence par son débit de données interne de 520 MBps, qui garantit un accès rapide aux données et des vitesses de transfert élevées.
Conçu pour fonctionner dans une large gamme de températures, il garantit la sécurité des données même dans des conditions extrêmes. Ses fonctions complètes de protection des données, notamment la protection des données de bout en bout, la protection contre la perte de puissance (PLP) et le cryptage matériel, offrent une tranquillité d'esprit en protégeant vos données contre les menaces potentielles. En outre, la conception économe en énergie du disque contribue à réduire les coûts d'exploitation sans compromettre les performances. Que ce soit pour les systèmes de stockage d'entreprise ou pour un usage individuel, le Lenovo ThinkSystem ER3 SSD s'impose comme une solution de stockage durable, efficace et sécurisée. -
Description du produit Lenovo ThinkSystem ER3 - SSD - Read Intensive - 480 Go - SATA 6Gb/s Garantie du fabricant 1 an de garantie Caractéristiques Protection des données de bout en bout, mise en sécurité thermique, Protection de perte de puissance (PLP), protection contre le courant de démarrage, prise en charge TRIM, Native Command Queuing (NCQ), S.M.A.R.T. Dimensions (LxPxH) 22 mm x 80 mm x 3.65 mm Poids 10 g Type Lecteur à semi-conducteurs - interne Débit de transfert de données 600 Mo/s Capacité 480 Go Format M.2 2280 Interface SATA 6Gb/s Type de mémoire flash NAND 3D triple-level cell (TLC) Cryptage matériel Oui Classe d'entra?nement Read Intensive
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