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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0
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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

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Référence : MZ-V9S4T0BW
Code EAN : 8806095575667
Prix et informations mentionnés sous réserve d'erreurs ou d'omission — Photos non contractuelles.
* Le stock et le délai de livraison peuvent changer à tout moment, à la hausse comme à la baisse.
  • Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité.
    Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.
  • Description du produit Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 To - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
    Garantie du fabricant Garantie de 5 ans
    Caractéristiques Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
    Dimensions (LxPxH) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
    Poids 9 g
    Type Lecteur à semi-conducteurs - interne
    Capacité 4 To
    Format M.2 2280
    Interface PCIe 5.0 x2 (NVMe)
    Algorithme de chiffrement AES 256 bits
    Type de mémoire flash NAND 3 bits par cellule (TLC)
    Cryptage matériel Oui

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